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数据中心、HBM、赞成驾驶、东说念主形机器东说念主......均为来岁的重心发展时期。

当天，TrendForce集邦策划发布了“2026十大科技商场趋势预测”。

AI液冷散热大范围渗入AI数据中心

AI数据中心承担的计较任务呈指数级增长，跟着功耗和密度执续晋升，带动算力液冷时期强健需求。

传统的风冷时期难以恬逸数据中心发展需求，液冷时期或者有用不停高热密度机柜的散热清贫，成为数据中心冷却时期的新标的。

2026年受惠于北好意思大型CSPs提高本钱开销，对AI数据中心建置需求茂盛，预估大家AI Server出货年增将逾20%。

英伟达将濒临更为强烈的竞争。当先AMD将推出MI400整柜式居品，主攻CSPs客户；其次，北好意思CSPs自研ASIC力说念执续增强；终末，云厂商自研ASIC，以及寒武纪等AI芯片公司强化AI芯片自主研发，将AI商场竞争推向尖锐化。

跟着AI芯片算力晋升，单芯片热想象功耗(TDP)将从NVIDIA H100、H200的700W，高涨至B200、B300的1,000W以上或更高，Server机柜须以液冷散热系统对应高密度热通量需求，推升2026年AI芯片液冷渗入率达47%。Microsoft（微软）亦建议新一代芯片封装层级的微流体冷却时期。全体而言，短中期商场仍以水冷板液冷为主，CDU架构将自L2A (Liquid-to-Air)转向L2L (Liquid-to-Liquid)想象，始终则朝更细巧化的芯片级散热演进。

HBM与光通信时期愈发关键

HBM 是一种基于 3D 堆栈封装时期的高性能内存，它通过将多个 DRAM 芯片垂直堆叠，并使用硅通孔（TSV）时期已毕芯片之间的高速互连，从而显赫提高内存的带宽和数据传输速率。与传统的内存架构比拟，HBM 具有更高的引脚密度和更低的蔓延，或者在有限的空间内提供更大的内存容量和更快的数据拜访速率。

咫尺各家存储器厂商通过HBM堆栈结构优化，封装与接口立异，而且与逻辑芯片协同想象，藉由各方面的奋力来晋升了AI芯片的土产货带宽。

不停了存储器的传输瓶颈之后，跨芯片、跨模组间的数据传输仍成为限度系统效率的新瓶颈，为冲破此限度，光电整合与CPO（Co-Packaged Optics）时期缓缓成为主流GPU厂商与云表供应商的研发重心。现阶段800G/1.6T pluggable光模组已启动大量坐褥，而2026年起预期将有更高带宽的SiPh/CPO平台导入AI 交换机（Switch）之内。借由新式的光通信时期来已毕高带宽、低功耗的数据互连，并优化系统全体带宽密度与能源恶果。

NAND Flash供应商强化AI决策

NAND Flash供应商正加快鼓动挑升的不停决策，包含两项关键居品：储存级存储器(SCM) SSD/KV Cache SSD/HBF时期，定位介于DRAM与传统NAND间，提供超低蔓延与高带宽特点，为加快及时AI推理责任负载的理念念领受。

另一项是Nearline QLC SSD，QLC时期正昔日所未有的速率被应用于AI的温/冷数据储存层，举例模子检讨点与数据集存档。QLC的每晶粒储存容量较TLC将朝上33%，大幅镌汰储存巨量AI数据集的单元成本。预估至2026年，QLC SSD于Enterprise SSD的商场渗入率将达30%。

AI数据中心储能商场，爆发式增长

数据中心的能源需求不仅体咫尺总量上，更体咫尺其对供电质料和褂讪性的极高条目上。凭证最新条目，畴昔，国度要害节点新建的数据中心绿电占比需要超80%，但风电、光伏的间歇性特征难以适配数据中心24小时邻接出手的褂讪用电需求。为幸免断电形成处事器关闭、数据丢失、建设损坏等情况，大数据中心配储的伏击性越发突显。

预估畴昔五年内，AI数据中心储能除了现存的短时UPS备电和电能质料改善，2至4小时的中万古储能系统占比将赶紧晋升，以同期恬逸备电、套利和电网处事需求。部署形态也将从数据中心级的聚拢式BESS (battery energy storage system)，缓缓向机柜级或猬集级的漫步式BESS渗入，如电板备用单元，以提供更快的瞬时反馈。

预期北好意思将成为大家最大AI数据中心储能商场，由超大范围云表厂商主导。预期大家AI数据中心储能新增容量将从2024年的15.7GWh，激增至2030年的216.8GWh，复合年平均成长率达46.1%。

AI数据中心迈向800V HVDC架构

在AI驱动的数据中心时间，千瓦级的供电尺度早已无法匹配AI模子对能耗的顶点需求。

以英伟达刻下主力的GB200 NVL72机架为例，跟着机架功率缓缓靠近兆瓦级别，基于54V直流的传统配电形态坚贞堕入瓶颈。英伟达告示其800V高压直流（HVDC）架构将于2027年全面部署，以复旧1MW及以上的IT机架功率需求，晋升供电恶果与可靠性，还大幅镌汰铜材使用，简化系统结构，并为AI工场的发展打下坚实基础。

第三代半导体SiC/GaN恰是已毕这一瞥型的关键，多家半导体供应商已告示加入NVIDIA的800V HVDC狡计。预估第三代半导体SiC/GaN在数据中心供电中的渗入率在2026年将高涨至17%，至2030年有望冲破30%。

2nm GAAFET更始，2.5D/3D封装冲破

晶体管架构正进一步演变为GAAFET，在GAAFET架构中，栅极以四个标的齐全包覆通说念，提供了更佳的限度才智，使其在面对更严峻的工艺挑战时晶体管仍然能褂讪地晋升其性能。 尽管GAAFET架构看似复杂，但GAAFET架构在工艺上仍有很大一部分沿用原有的FinFET架构的工艺，镌汰了晶圆代工场在GAAFET架构的工艺研发上所面对的时期挑战。

跟着各家2nm GAAFET插足量产，TSMC（台积电）、Intel（英特尔）与Samsung（三星）则辞别推出CoWoS/SoIC、EMIB/FOVEROS、I-Cube/X-Cube等2.5D/3D封装时期，提供前后段整合代工处事。如安在产能哄骗率、可靠性、成本与良率间获取均衡与贸易上风，将是各大晶圆代工与封装厂的中枢挑战。

2026年东说念主形机器东说念主出货成长逾700%

跟着特斯拉等海外巨头量产时刻表的明确，以及国内厂商在本钱与时期上的快速跟进，一个全新的赛说念正在加快成型。

2026年将是东说念主形机器东说念主迈向商用化的关键一年，大家出货量预估年增逾七倍、冲破5万台，商场动能聚焦于两大主轴：AI自适合（AI Adaptivity）时期与场景应用导向。AI自适合时期市欢高效AI芯片、感测交融与大型言语模子（LLM）的进化，使机器东说念主能在非结构化环境中及时学习与动态决策，展现“谋定此后动”的举止才智。

札记本电脑露馅高阶化提速，折叠机主流化进度迎关键节点

OLED以自愿光、高对比、浮薄化与可变刷新率等特点，冲破LCD在厚度与能耗的物理瓶颈，妥当Apple（苹果）对影像精度与能源恶果的双伏击求。Apple瞻望2026年致密将OLED面板导入MacBook Pro，将带动高阶笔电露馅规格由mini-LED转向OLED，预估2025年OLED笔电渗入率可望来到5%，2026年之后，在Apple带动下，2027–2028年可望晋升至9–12%。

苹果照旧于6 月启动了折叠 iPhone 的初步原型 1（Prototype 1/P1）阶段。要是按照苹果的传统居品开垦时刻表，这台折叠屏手机瞻望将在 2025 年底完成主要的原型测试阶段，随后插足工程考证测试 (EVT) 阶段。预估将带动大家折叠手机出货量于2027年冲破3,000万支。咫尺折叠手机仍濒临迈向主流的终末阻难—搭钮可靠度、柔性面板封装、良率与成本限度。

LEDoS时期积聚成长能量

Meta Ray-Ban Display是Meta公司于2025年9月18日Connect开垦者大会上推出的智能眼镜，由首席扩充官马克·扎克伯格发布，套装包含全彩高清露馅屏眼镜及配套神经腕带，起售价799好意思元。该居品右镜片配备600×600像素露馅屏，复旧露馅见告、导航指导及轻视媒体应用，搭配的Meta神经腕带（Neural Band）通过肌电图(EMG)时期检测前臂肌肉电信号已毕手势操控。

跟着商场预期与Meta迭代居品狡计的鼓动，趋势正指向具备更高亮度、对比度的LEDoS 时期，以拓展应用场景，加上Apple、Google（谷歌）、RayNeo（雷鸟立异）、INMO（影目科技）、Rokid（乐奇）、Vuzix等厂商执续布局，成本有望加快下探。预估2027-2028年将出现更老练的全彩LEDoS不停决策，Meta也瞻望推出新一代搭载LEDoS的AR眼镜。

2026年赞成驾驶渗入率晋升

自动驾驶时期（包括高等驾驶赞成系统ADAS和自动驾驶出租车Robotaxi）已成为大家汽车产业转型的中枢赛说念，时期迭代、成本下跌与战略复旧正推动行业加快发展。

预估2026年L2(含)以上赞成驾驶的渗入率将逾40%，智能化将不息电动车成为汽车产业成长能源。此外，以L4级为狡计的Robotaxi正迎来大家性的膨大波澜。以L4级为狡计的Robotaxi正迎来大家性的膨大波澜。

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